技術研發與設備開發

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26.33%
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世界紀錄
使用該技術轉換效率已達
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產品性價比高
持續降低終端使用成本
制程能耗少
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低溫工藝流程
220oC度以下的低溫中進行
HDT太陽電池技術特點

HDT太陽電池技術特點

HDT高效異質結太陽能電池(High efficiency Hetero-junction Double-side Technology Solar Cells),利用PECVD在硅表面絨面形成后的N型單晶硅片正面沉積非常薄的本征硅鈍化層和P型硅摻雜層,再在硅片的背表面沉積非常薄的本征硅鈍化層和N型硅摻雜層,硅膜層沉積完成之后再利用PVD磁控濺射鍍膜技術在電池的正反兩面沉積透明氧化物導電薄膜(TCO)及金屬疊層,最后利用金屬成柵技術在電池的兩面同時形成金屬電極。

HDT太陽能電池技術優勢

◎  低溫制程:低溫工藝流程,最高不超過220oC,制程能耗少;

◎  異質結發射極:寬帶隙致高短路電流-Isc及高開壓Voc,使用此技術的電池片轉換效率的世界紀錄已達到26.33%;

◎  低溫度系數:電池片功率溫度系數低于-0.28%/oC,更適于高溫環境發電;

◎  可柔性化應用:電池片的結構適合于使用超薄的硅片作為襯底,未來可實現真正的柔性化;

◎  雙面發電:電池片雙面吸光,適于制作雙玻組件,可增加發電量超過10%以上。


HDT電池硅薄膜工藝研發

◎  HDT電池結構共包含四層硅薄膜,其中P型和N型硅摻雜層分別作為電池的發射極和背電極場構建起電池內部電場,其厚度在5nm左右。在單晶硅片的正反面的本征硅層主要作用是鈍化單晶硅表(注:單晶硅表面由于晶體長程有序結構破壞,產生大量界面缺陷),增加少子壽命,減少少子在界面處的復合。

◎  HDT電池中的本征硅層其厚度在10nm以下,一般在5nm左右,而在傳統的硅薄膜電池中,本征硅是作為電池的光吸收層,厚度一般在200nm~300nm之間,兩者差別在50倍左右。因此,在硅薄膜電池中的光致衰退效應在HDT太陽能電池中不用考慮。

HDT電池效率提升路徑

◎  降低光學損失(減少制絨面的反射/減少導電氧化物及非晶硅的吸收/提高柵線電極的高寬比);  

◎  減少表面少子復合速率(優化硅片的清洗工藝/硅片表面的氫原子鈍化/高質量的非晶硅薄膜的制備);

◎  減少串聯電阻(提高導電氧化物的導電性/減少不同層之間的接觸電阻)


獨特的硅表面處理技術

◎  使用不含IPA的制絨添加劑,提高了制絨的穩定性,延長了溶液的使用壽命;

◎  去除損傷層的處理,完全消除硅片表面的機械損傷,并有效控制金字塔的尺寸及尺寸分布;

◎  開發了獨特的清洗工藝流程,保證了鈍化前硅片表面的潔凈度;

◎  自主研發了絨面的削尖處理方法,有利于硅薄膜在絨面上的均勻覆蓋。


高電導金屬成柵工藝

◎  鈞石能源引入半導體集成電路技術概念,采用特殊設備完成高電導金屬柵線制成,并為客戶提供最優工藝,達到設備及運營成本遠低于低溫銀漿工藝。

◎  鈞石能源高電導率材料是銀漿電導率的10倍,形成的金屬柵線易于焊接,線寬可控制在40μm以下。


自主研發穩定高效的PECVD設備

◎  鈞石能源擁有自主知識產權的高端PECVD設備,運行穩定、產能高、連續批量化生產重復性好。

◎  PECVD設備采用獨特的RF電極設計,輝光電極間隙可調,低功率起輝穩定,載板溫度均勻性好,沉積的薄膜厚度均勻。

◎  工藝窗口寬,低功率薄膜鈍化后的晶體硅,其少子壽命可接近其本征壽命。


自主研發成熟穩定的高產出PVD設備

◎  鈞石能源自主開發的旋轉靶PVD雙面沉積設備,靶材利用率提高至80%,維護時間減少40%,采用獨特的陰極靶座設計,濺射工藝穩定性高重復性好。設備稼動率高達90%以上,每小時產量為3000片。

◎  預熱腔室和沉積腔室配有原位加熱元件,TCO薄膜沉積溫度可至200 oC,沉積的薄膜厚度均勻性控制在5%內。


技術領先策略

鎖定有市場生命力的創新技術,以獨創工藝專注新型高效電池;

凝聚有全球影響力的技術團隊,世界太陽能領域權威專家領銜; 

中國泉州和日本分設研發中心,匯聚全球頂級資本以持續投入; 

構建有技術含金量的專利體系,自主知識產權專利超過150項。


低成本原則

瞄準終端使用

以持續降低成本為目標

高品質為前提

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以技術贏未來

 

在當今光伏應用市場前景越來越光明的大好時代背景下,只有擁有技術創新優勢的企業才能真正問鼎天下,才能在世界范圍內站在行業的最高峰。

 
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